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IXFR21N100	文件：329.37 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=500mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXFR21N100Q	文件：38.01 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM (Electrically Isolated Back Surface)	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFR21N100Q_03	文件：115.25 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247	IXYS IXYS Corporation	IXYS
CIL21N100KAC	文件：67.43 Kbytes Page：7 Pages	Ithasferriteand100Agasinternalconductors,theCILSerieshasexcellentQcharacteristicsandeliminatecrosstalk.	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
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CIL21N100MAC	文件：67.43 Kbytes Page：7 Pages	Ithasferriteand100Agasinternalconductors,theCILSerieshasexcellentQcharacteristicsandeliminatecrosstalk.	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
CIL21N100MAE	文件：67.43 Kbytes Page：7 Pages	Ithasferriteand100Agasinternalconductors,theCILSerieshasexcellentQcharacteristicsandeliminatecrosstalk.	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
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IXFK21N100F	文件：98.84 Kbytes Page：2 Pages	HiPerRFPowerMOSFETsF-Class:MegaHertzSwitching Features ?RFCapableMOSFETs ?DoubleMetalProcessforLowGateResistive ?AvalancheRated ?FastIntrinsicRectifier Advantages ?HighPowerDensity ?EasytoMount ?SpaceSavings Applications ?DC-DCConverters ?Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies,>500kHzSwitching ?D	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK21N100F	文件：328.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.50Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXFK21N100F	文件：101.09 Kbytes Page：2 Pages	HiPerRFPowerMOSFETs Features ?RFCapableMOSFETs ?DoubleMetalProcessforLowGateResistive ?AvalancheRated ?FastIntrinsicRectifier Advantages ?HighPowerDensity ?EasytoMount ?SpaceSavings Applications ?DC-DCConverters ?Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies,>500kHzSwitching ?D	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK21N100Q	文件：606.09 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-CLASS HiPerFET?PowerMOSFETsQ-CLASS SingleMOSFETDie N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,LowQg,HighdV/dt,Lowtrr Features ?IXYSadvancedlowQgprocess ?Lowgatechargeandcapacitances -easiertodrive -fasterswitching ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK21N100Q	文件：328.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.50Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

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詳細參數(shù)

型號：
IXFR21N100
功能描述：
MOSFET 18 Amps 1000V 0.5 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市永貝爾科技有限公司	IXFR21N100Q	IXYS	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	IXFR21N100Q	IXYS	24+	TO-247	2050	公司大量全新原裝正品隨時可以發(fā)貨	詢價
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深圳市科雨電子有限公司	IXFR21N100Q	IXYS	1809+	TO-247	326	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
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深圳市易訊博科技有限公司	IXFR21N100Q	IXYS	22+	NA	18	加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,	詢價
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深圳市芯福林電子科技有限公司	IXFR21N100Q	IXYS	21+	ISOPLUS247?	13880	公司只售原裝,支持實單	詢價
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更多IXFR21N100供應商更新時間2025-1-1 9:01:00

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