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IXBT12N300HV

High Voltage, High Gain BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ●HighVoltagePackage ●HighBlockingVoltage ●Anti-ParallelDiode ●LowConductionLosses Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensityApplications: ●Switch-ModeandResonant-Mode PowerSupplies ●UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ●LaserGenerators ●Ca

IXYS

IXYS Corporation

IXBT12N300HV

Package：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 3000V 30A 160W TO268

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IXBA12N300HV

HighVoltage,HighGainBiMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ●HighVoltagePackage ●HighBlockingVoltage ●Anti-ParallelDiode ●LowConductionLosses Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensityApplications: ●Switch-ModeandResonant-Mode PowerSupplies ●UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ●LaserGenerators ●Ca

IXYS

IXYS Corporation

IXBF12N300

HighVoltage,HighGainBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor

IXYS

IXYS Corporation

IXBH12N300

HighVoltage,HighGainBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ●HighBlockingVoltage ●InternationalStandardPackages ●Anti-ParallelDiode ●LowConductionLosses Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensity Applications: ●Switched-ModeandResonant-ModePowerSupplies ●UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ●LaserGen

IXYS

IXYS Corporation

IXBH12N300

HighVoltage,HighGainBIMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ●HighBlockingVoltage ●InternationalStandardPackages ●Anti-ParallelDiode ●LowConductionLosses Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensity Applications: ●Switched-ModeandResonant-ModePowerSupplies ●UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ●LaserGen

IXYS

IXYS Corporation

IXBT12N300

HighVoltage,HighGainBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ●HighBlockingVoltage ●InternationalStandardPackages ●Anti-ParallelDiode ●LowConductionLosses Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensity Applications: ●Switched-ModeandResonant-ModePowerSupplies ●UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ●LaserGen

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXBT12N300HV

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    BIMOSFET?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.2V @ 15V，12A

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    64ns/180ns

  • 測試條件：

    1250V，12A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA

  • 供應商器件封裝：

    TO-268

  • 描述：

    IGBT 3000V 30A 160W TO268

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
24+
TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
IXYS
23+
DIP18
6000
15年原裝正品企業(yè)
 詢價
IXYS
1931+
N/A
18
加我qq或微信，了解更多詳細信息,體驗一站式購物
 詢價
IXYS
1809+
TO-268
326
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
 詢價
IXYS
22+
NA
18
加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,
 詢價
IXYS
22+
TO268
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
IXYS
23+
TO268
9000
原裝正品，支持實單
 詢價
IXYS
2022+
TO-268
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
 詢價
IXYS
21+
N/A
2156
全新原裝虧本出
 詢價
更多IXBT12N300HV供應商 更新時間2025-1-29 14:14:00

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