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IXBT32N300HV

High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ?HighBlockingVoltage ?HighVoltagePackages ?LowConductionLosses Advantages ?LowGateDriveRequirement ?HighPowerDensity Applications: ?Switched-ModeandResonant-ModePowerSupplies ?UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ?LaserGenerators ?CapacitorDischargeCi

IXYS

IXYS Corporation

IXBT32N300HV

Package：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 3000V 80A 400W TO268

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IXYS Corporation

IXBF32N300

HighVoltage,HighGainBIMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ?SiliconChiponDirect-CopperBond(DCB)Substrate ?IsolatedMountingSurface ?3000VElectricalIsolation ?HighBlockingVoltage ?InternationalStandardPackage ?LowConductionLosses Advantages ?LowGateDriveRequirement ?HighPowerDensity Applications: ?Switched-M

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IXYS Corporation

IXBH32N300

PreliminaryTechnicalInformation

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IXYS Corporation

IXBH32N300HV

HighVoltage,HighGainBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ?HighBlockingVoltage ?HighVoltagePackages ?LowConductionLosses Advantages ?LowGateDriveRequirement ?HighPowerDensity Applications: ?Switched-ModeandResonant-ModePowerSupplies ?UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ?LaserGenerators ?CapacitorDischargeCi

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IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXBT32N300HV

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    BIMOSFET?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.2V @ 15V，32A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    50ns/160ns

  • 測試條件：

    1250V，32A，2 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-268HV

  • 描述：

    IGBT 3000V 80A 400W TO268

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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更多IXBT32N300HV供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-27 10:18:00

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