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IXBT42N170A

BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ?HighBlockingVoltage ?JEDECTO-268surfaceandJEDECTO-247AD ?Fastswitching ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications ?ACmotorspeedcontrol

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IXYS Corporation

IXBH42N170

HighVoltage,HighGainBIMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor

VCES=1700V IC25=75A VCE(sat)=3.3V Features ?HighBlockingVoltage ?JEDECTO-268surfaceandJEDECTO-247AD ?Lowconductionlosses ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applicatio

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IXBH42N170A

BIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ?HighBlockingVoltage ?JEDECTO-268surfaceandJEDECTO-247AD ?Fastswitching ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications ?ACmotorspeedcontrol

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IXBN42N170A

HighVoltage,HighGainBIMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ?InternationalStandardPackage ?miniBLOC,withAluminiumNitrideIsolation ?SquareRBSOA ?2500V~IsolationVoltage ?HighBlockingVoltage ?InternationalStandardPackage ?Anti-ParallelDiode ?LowConductionLosses Advantages ?LowGateDriveRequirement ?HighPowerDe

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IXBR42N170

HighVoltage,HighGainBIMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ●SiliconchiponDirect-CopperBond(DCB)substrate ●Isolatedmountingsurface ●2500Velectricalisolation Advantages ●Lowgatedriverequirement ●Highpowerdensity Applications: ●Switched-modeandresonant-modepowersupplies ●Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ●Lase

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXBT42N170A

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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DIP18
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15年原裝正品企業(yè)
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更多IXBT42N170A供應(yīng)商 更新時間2025-1-23 10:02:00

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