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IXBF12N300

High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

IXYS

IXYS Corporation

IXBF12N300

包裝：托盤 封裝/外殼：i4-Pac?-5（3 引線） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4

IXYS

IXYS Corporation

IXBA12N300HV

HighVoltage,HighGainBiMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ●HighVoltagePackage ●HighBlockingVoltage ●Anti-ParallelDiode ●LowConductionLosses Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensityApplications: ●Switch-ModeandResonant-Mode PowerSupplies ●UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ●LaserGenerators ●Ca

IXYS

IXYS Corporation

IXBH12N300

HighVoltage,HighGainBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ●HighBlockingVoltage ●InternationalStandardPackages ●Anti-ParallelDiode ●LowConductionLosses Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensity Applications: ●Switched-ModeandResonant-ModePowerSupplies ●UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ●LaserGen

IXYS

IXYS Corporation

IXBH12N300

HighVoltage,HighGainBIMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ●HighBlockingVoltage ●InternationalStandardPackages ●Anti-ParallelDiode ●LowConductionLosses Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensity Applications: ●Switched-ModeandResonant-ModePowerSupplies ●UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ●LaserGen

IXYS

IXYS Corporation

IXBT12N300

HighVoltage,HighGainBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ●HighBlockingVoltage ●InternationalStandardPackages ●Anti-ParallelDiode ●LowConductionLosses Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensity Applications: ●Switched-ModeandResonant-ModePowerSupplies ●UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ●LaserGen

IXYS

IXYS Corporation

IXBT12N300HV

HighVoltage,HighGainBiMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ●HighVoltagePackage ●HighBlockingVoltage ●Anti-ParallelDiode ●LowConductionLosses Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensityApplications: ●Switch-ModeandResonant-Mode PowerSupplies ●UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ●LaserGenerators ●Ca

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXBF12N300

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    BIMOSFET?

  • 包裝：

    托盤

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.2V @ 15V，12A

  • 輸入類型：

    標準

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    i4-Pac?-5（3 引線）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    ISOPLUS i4-PAC?

  • 描述：

    IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
23+
DIP18
6000
15年原裝正品企業(yè)
 詢價
IXYS
1931+
N/A
113
加我qq或微信，了解更多詳細信息,體驗一站式購物
 詢價
IXYS
1809+
i4-PAC
326
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
 詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
10000
公司只做原裝正品
 詢價
IXYS
22+
NA
113
加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,
 詢價
IXYS
22+
ISOPLUS i4PAC?
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
6000
原裝正品，支持實單
 詢價
IXYS
2022+
ISOPLUS i4-PAC?
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
IXYS/艾賽斯
22+
TO-247
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
 詢價
更多IXBF12N300供應(yīng)商 更新時間2024-10-24 10:02:00

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