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SPB07N60S5	文件：1.10801 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Serverandtelecompowersupplies ?Switchmodepowersupplies(SMPS) ?Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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SPDU07N60S5	文件：332.37 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor CoolMOS?PowerTransistor ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Optimizedcapacitances ?Improvednoiseimmunity	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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SPU07N60S5	文件：247.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTO-251(IPAK)packaging ?Highspeedswitching ?Easytouse ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Powersupply ?DC-DCconverters ?Motorcontrol ?Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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更多ISPP07N60S5供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-28 9:29:00

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