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SPB07N60S5	文件：1.10801 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Serverandtelecompowersupplies ?Switchmodepowersupplies(SMPS) ?Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SPD07N60S5	文件：262.82 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOS??PowerTransistor CoolMOS?PowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?WorldwidebestRDS(on)inTO-251andTO-252 ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances ?Improvedtransconductance ?Pb-freeleadplating;RoHS	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPD07N60S5	文件：335.34 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
SPPBI07N60S5
制造商：
INFINEON
制造商全稱：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Cool MOS⑩ Power Transistor

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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