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IS61LV12824-10BL

128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

DESCRIPTION TheISSIIS61LV12824isahigh-speed,staticRAMorganizedas131,072wordsby24bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas8nswithlowpowercons

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61LV12824-10BL

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：119-BGA 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 3MBIT PARALLEL 119PBGA

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IS61LV12824-10BL-TR

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：119-BGA 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 3MBIT PARALLEL 119PBGA

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IS61LV12824-10B

128Kx24HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

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IS61LV12824-10BI

128Kx24HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

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IS61LV12824-10TQ

128Kx24HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

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IS61LV12824-10TQI

128Kx24HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

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IS61LV12824-10TQLI

128Kx24HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS61LV12824-10BL

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    3Mb（128K x 24）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    119-BGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    119-PBGA（14x22）

  • 描述：

    IC SRAM 3MBIT PARALLEL 119PBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ISSI
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119-BGA(14x22)
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更多IS61LV12824-10BL供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-28 14:25:00

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