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IS61WV51216BLL-10MLI

512K x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV51216BLL-10MLI

Package：48-TFBGA；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV51216BLL-10MLI-TR

Package：48-TFBGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV51216BLL-10MI

512Kx16HIGH-SPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV51216BLL-10TI

512Kx16HIGH-SPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV51216BLL-10TLI

512Kx16HIGH-SPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS61WV51216BLL-10MLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    8Mb（512K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-迷你型BGA（9x11）

  • 描述：

    IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ISSI
存儲器
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更多IS61WV51216BLL-10MLI供應(yīng)商 更新時間2025-2-26 15:06:00

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