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IS61WV5128BLL-10TLI-TR

Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV5128BLL-10BI

512Kx8HIGH-SPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV5128BLL-10BLI

512Kx8HIGH-SPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV5128BLL-10KLI

512Kx8HIGH-SPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV5128BLL-10TI

512Kx8HIGH-SPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV5128BLL-10TLI

512Kx8HIGH-SPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS61WV5128BLL-10TLI-TR

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    4Mb（512K x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    44-TSOP II

  • 描述：

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ISSI
23+
44-TSOPII
1389
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SMD
15600
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器4M(512Kx8)10nsAsync靜態(tài)隨機(jī)存取
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ISSI
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TSOP-44
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ISSI(美國芯成)
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ISSI(美國芯成)
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TSOPII-44
315000
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ISSI(美國芯成)
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TSOPII-44
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更多IS61WV5128BLL-10TLI-TR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-26 10:50:00

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