IRLI2203N中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRLI2203N規(guī)格書詳情
VDSS = 30V R
DS(on) = 0.007?
ID = 61A
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Logic-Level Gate Drive
Advanced Process Technology
solated Package
High Voltage Isolation = 2.5KVRMS
Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm
Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRLI2203N
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
5550 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO220 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費! |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-220F |
16800 |
絕對原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!? |
詢價 | ||
IR |
12+ |
TO-220F |
2300 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-220F |
35890 |
詢價 | |||
IR |
TO-220 |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價 | |||
IR |
24+ |
TO-220FullPak(Iso) |
8866 |
詢價 | |||
IR |
21+ |
TO-220 |
9852 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價 | ||
IR |
17+ |
TO-220F |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 |
