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IRGS4B60KPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. ?Lead-Free. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransientPerfor

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IRGS4B60KPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRGS4B60KPBF

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V D2PAK-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRGS4B60KPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRGB4B60K

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransientPerformance. ?Low

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IRGB4B60KPBF

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Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. ?Lead-Free. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransientPerfor

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. ?Lead-Free. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransientPerfor

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IRGS4B60K

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. ?Lead-Free. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransientPerfor

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Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransientPerformance. ?Low

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRGS4B60KPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，4A

  • 開關能量：

    73μJ（開），47μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    22ns/100ns

  • 測試條件：

    400V，4A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應商器件封裝：

    D2PAK

  • 描述：

    IGBT 600V D2PAK-3

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
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TO-263
3000
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23+
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8000
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
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Infineon Technologies
23+
原裝
8000
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
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Infineon Technologies
23+
原裝
7000
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Infineon Technologies
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更多IRGS4B60KPBF供應商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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