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IRFZ44NS

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A)

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknown for,p

IRF

International Rectifier

IRFZ44NS

N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinasurfacemountingplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintendedforuseins

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

IRFZ44NS

Advanced Process Technology

Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFZ44NS

isc N-Channel MOSFET Transistor

?FEATURES ?WithTO-263(D2PAK)packaging ?Highspeedswitching ?Lowgateinputresistance ?Standardlevelgatedrive ?Easytouse ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Powersupply ?Switchi

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFZ44NS

55V N-Channel MOSFET

DESCRIPTION ThisadvancedPowerMOSFETsfromInternational Rectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve extremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit, combinedwiththefastswitchingspeedandruggedized devicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewell knownfor,

TGS

Tiger Electronic Co.,Ltd

IRFZ44NS

60V N-Channel MOSFET

GeneralDescription TheIRFZ44NS/IRFZ44Nusesadvancedtrenchtechnology anddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications.

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導體

IRFZ44NS

60V N-Channel MOSFET

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導體廣東友臺半導體有限公司

IRFZ44NSPBF

HEXFET?Power MOSFET

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfrominternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignedthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,

IRF

International Rectifier

IRFZ44NSPBF

Advanced Process Technology

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfrominternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignedthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,

IRF

International Rectifier

IRFZ44NSPBF

Marking：D2PAK；Package：TO-263；N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?175°CJunctionTemperature ?TrenchFET?PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFZ44NS

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
24+
5000
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
UMW 友臺
23+
TO-263
20000
原裝正品，實單請聯(lián)系
 詢價
IR
23+
SOT-263
7000
原廠原裝正品
 詢價
IR
2024+
TO-263-3
32560
原裝優(yōu)勢絕對有貨
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IR
2306+
150
優(yōu)勢代理渠道,原裝現(xiàn)貨,可全系列訂貨
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UMW(廣東友臺半導體)
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TO-263
5000
誠信服務,絕對原裝原盤。
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24+
N/A
8000
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
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13+
1388
原裝分銷
 詢價
更多IRFZ44NS供應商 更新時間2025-1-22 16:36:00

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