IRFZ44NS中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRFZ44NS規(guī)格書詳情
Description
Advanced HEXFET?Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known
for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Advanced Process Technology
● Surface Mount (IRFZ44NS)
● Low-profile through-hole (IRFZ44NL)
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFZ44NS
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
SOT-263 |
7000 |
原廠原裝正品 |
詢價 | ||
IR |
03/04+ |
SOT-263 |
4500 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
VISHAY |
24+ |
TO-263 |
12000 |
VISHAY專營進口原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
TO-263 |
9000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
IR |
1602+ |
TO-263 |
1150 |
只做原裝現(xiàn)貨、主營光電元器件/門市現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
D2-PAK |
10000 |
原裝,品質(zhì)保證,請來電咨詢 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
TO-263 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應,支持實單! |
詢價 | ||
IR |
21+ |
TO263 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價 | ||
INTERNATIONALRECTIFIER |
2020+ |
NA |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
VISHA |
23+ |
TO-263 |
34400 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 |
