首頁 >IRFI610G>規(guī)格書列表

零件編號(hào)下載 訂購功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

IRFI610G

Package：TO-220-3 全封裝，隔離接片；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) 描述：MOSFET N-CH 200V 2.6A TO220-3

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFS610A

AdvencedPowerMOSFET(N-CHANNEL)

FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ■LowRDS(ON):1.169Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRFS610A

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFS610B

200VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Features ?3.3A,200V,RDS(on)=1.5?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical7.2nC) ?LowCrss(typical6.8pF) ?Fastswitch

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRFW610B

200VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRL610

AdvancedPowerMOSFET

BVDSS=200V RDS(on)=0.046? ID=3.3A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ?LowerRDS(ON):1.185?(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRL610A

AdvancedPowerMOSFET

BVDSS=200V RDS(on)=0.046? ID=3.3A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ?LowerRDS(ON):1.185?(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRL610A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRLI610A

AdvancedPowerMOSFET

BVDSS=200V RDS(on)=1.5? ID=3.3A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?150°COperatingTemperature ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ?LowerRDS(ON):

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRLI610A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRFI610G

  • 制造商：

    Vishay Siliconix

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • FET 類型：

    N 通道

  • 技術(shù)：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    2.6A（Ta）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-3

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 全封裝，隔離接片

  • 描述：

    MOSFET N-CH 200V 2.6A TO220-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
VISHAY
1503+
TO220-3
3000
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!
 詢價(jià)
Vishay Siliconix
22+
TO2203 Isolated Tab
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
Vishay Siliconix
21+
TO2203 Isolated Tab
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
 詢價(jià)
VISHAY/威世
23+
TO220FP
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
Vishay Siliconix
2022+
TO-220-3 全封裝,隔離接片
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
VISHAY/威世
22+
TO220FP
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價(jià)
Vishay
24+
TOTO-220FP
12300
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價(jià)
IR
15+
TO-220F
11560
全新原裝,現(xiàn)貨庫存,長期供應(yīng)
 詢價(jià)
IR
23+
TO-220
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IR
23+
TO-220
7000
詢價(jià)
更多IRFI610G供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

相關(guān)規(guī)格書

更多

相關(guān)庫存

更多