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IRFE9110	文件：124.1 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET?TRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesignersth	IRF International Rectifier	IRF
IRFE9110	文件：125.22 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFE9110	文件：19.18 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFE9110	文件：124.1 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)	IRF International Rectifier	IRF
IRFE9110_15	文件：125.22 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFF9110	文件：143.61 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE(TO-205AF) TheHEXFET?technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. TheHEXFETtransistorsalso	IRF International Rectifier	IRF
IRFF9110	文件：16.67 Kbytes Page：1 Pages	P-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF9110	文件：136.14 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFF9110	文件：656.29 Kbytes Page：2 Pages	100V,P-CHANNEL	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFG9110	文件：218.24 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(MO-036AB)	IRF International Rectifier	IRF
IRFG9110	文件：221.5 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFL9110	文件：171.51 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=1.2ohm,Id=-1.1A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesolder	IRF International Rectifier	IRF
IRFL9110	文件：1.3922 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechni	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL9110	文件：360.03 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL9110	文件：357.61 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?Dynamicdv/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?P-channel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgenerationpower	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL9110PBF	文件：223.19 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET(VDSS=-100V,RDS(on)=1.2廓,ID=-1.1A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesold	IRF International Rectifier	IRF
IRFL9110PBF	文件：1.3922 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechni	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL9110TR	文件：1.3922 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechni	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL9110TRPBF	文件：1.3922 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechni	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL9110TRPBF	文件：1.04318 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFE9110
制造商：
International Rectifier
功能描述：
TRANS MOSFET P-CH 100V 2.5A 18PIN LCC - Bulk

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFE9110	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳市航宇科工半導(dǎo)體有限公司	IRFE9110	CHINA	22+	LCC-18	640	航宇科工半導(dǎo)體-央企合格優(yōu)秀供方!	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFE9110	IR	22+	18-pin LCC	6000	終端可免費供樣,支持BOM配單	詢價
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRFE9110	IR	23+	18-pin LCC	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFE9110	IR	23+	18-pin LCC	7000		詢價
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深圳市毅創(chuàng)弘電子科技有限公司	IRFE9120	IR	23+	LCC	66800	原廠授權(quán)一級代理,專注汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！	詢價
深圳市藍(lán)山航業(yè)科技有限公司	IRFE9120		24+	長期備有現(xiàn)貨	500000	行業(yè)低價,代理渠道	詢價
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更多IRFE9110供應(yīng)商更新時間2024-12-30 16:31:00

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