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IRFE111

Multiple Small-Signal Transistors

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

IRFF111

PowerMOSField-EffectTransistors

N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features ?SOAisPowerDissipationLimited ?NanosecondSwitchingSpeeds ?LinearTransferCharacteristics ?HighInputImpedance ?Majoritycarrierdevice

GESS

GE Solid State

IRFF111

IM-CHANIMELPOWERMOSFETsTO-39PACKAGE

TheHEXFETtransistorsalsofeatureallofthewellestablishedadvantagesofMOSFETssuchasvoltagecontrol,freedomfromsecondbreakdown,veryfastswitching,easeofparalleling,andtemperaturestabilityoftheelectricalparameters. TheyarewellsuitedforapplicationssuchasswitchingD

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IS111

GENERALPURPOSEDIODES

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GeneralPurposeDiodes

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TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR

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ISCNH111P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多IRFE111供應(yīng)商 更新時間2024-12-28 9:02:00

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