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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IRFE110	文件：199.53 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET?TRANSISTORS SURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesigners	IRF International Rectifier	IRF
IRFE110	文件：203 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFE110	文件：70.03 Kbytes Page：1 Pages	Multiple Small-Signal Transistors	Motorola Motorola, Inc	Motorola
IRFE110_15	文件：203 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFF110	文件：328.66 Kbytes Page：7 Pages	3.5A,100V,0.600Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFF110	文件：176.97 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSField-EffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features ?SOAisPowerDissipationLimited ?NanosecondSwitchingSpeeds ?LinearTransferCharacteristics ?HighInputImpedance ?Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS
IRFF110	文件：16.64 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF110	文件：474.27 Kbytes Page：2 Pages	IM-CHANIMELPOWERMOSFETsTO-39PACKAGE TheHEXFETtransistorsalsofeatureallofthewellestablishedadvantagesofMOSFETssuchasvoltagecontrol,freedomfromsecondbreakdown,veryfastswitching,easeofparalleling,andtemperaturestabilityoftheelectricalparameters. TheyarewellsuitedforapplicationssuchasswitchingD	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFG110	文件：221.22 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(MO-036AB)	IRF International Rectifier	IRF
IRFG110	文件：26.09 Kbytes Page：2 Pages	14LEADDUALINLINEQUAD	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFG110	文件：273.04 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFG110	文件：273.04 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(MO-036AB)	IRF International Rectifier	IRF
IRFL110	文件：244.59 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.54ohm,Id=1.5A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesolderin	IRF International Rectifier	IRF
IRFL110	文件：1.45555 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?SurfaceMount ?AvailableinTapeandReel ?DynamicdV/dtRating ?Repetitive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL110PBF	文件：216.93 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesolderin	IRF International Rectifier	IRF
IRFL110PBF	文件：1.45555 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?SurfaceMount ?AvailableinTapeandReel ?DynamicdV/dtRating ?Repetitive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL110TR	文件：1.45555 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?SurfaceMount ?AvailableinTapeandReel ?DynamicdV/dtRating ?Repetitive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL110TRPBF	文件：1.45555 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?SurfaceMount ?AvailableinTapeandReel ?DynamicdV/dtRating ?Repetitive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL110TRPBF	文件：1.46639 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFETs ?175°CMaximumJunctionTemperature ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
IRFL110TRPBFA	文件：2.02105 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFE110
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 18-Pin LLCC
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 100V 3.5A 18PIN LCC - Bulk
功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 100V, 3.5A, LCC; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
3.5A; Drain Source Voltage
Vds：
100V; On Resistance
Rds(on)：
600mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V ;RoHS
Compliant：
No

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市星佑電子有限公司	IRFE110	INTERNATIONA	05+	原廠原裝	4241	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFE110	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFE110	IR	22+	18-pin LCC	6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價(jià)
深圳市川藍(lán)電子科技有限公司	IRFE110	INFINEON	23+	C-LCC-18	14253	原包裝原標(biāo)現(xiàn)貨,假一罰十,	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRFE110	IR	23+	18-pin LCC	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFE110	IR	23+	18-pin LCC	7000		詢價(jià)
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IRFE120	IR	2018+	SMD	50	“芯達(dá)集團(tuán)”專營(yíng)軍工百分之百原裝進(jìn)口	詢價(jià)
深圳市達(dá)恩科技有限公司	IRFE120	IR	18	LCC	200	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190	詢價(jià)
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	IRFE120	IR	專業(yè)軍工	NA	1000	只做原裝正品軍工級(jí)部分訂貨	詢價(jià)
深圳市納立科技有限公司	IRFE120	IR	三年內(nèi)		1983	納立只做原裝正品13590203865	詢價(jià)

更多IRFE110供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-15 16:24:00

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