IRFD9113中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRFD9113規(guī)格書詳情
HEXFET technology is the key to International Rectififers advanced line of power MOSFET transistors.
■ P-Channel Versatility
■ For Automatic Insertion
■ Compact Plastic Package
■ End Stackable
■ Fast Switching
■ Low Drive Current
■ Easily Paralleled
■ Excellent Temperature Stability
產(chǎn)品屬性
- 型號:
IRFD9113
- 功能描述:
MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR(國際整流器) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應,賬期支持! |
詢價 | ||
IR |
2020+ |
DIP-4 |
16800 |
絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!? |
詢價 | ||
Vishay Siliconix |
22+ |
4DIP |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
DIP-4 |
8238 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
4PINDIP |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
00+ |
DIP-4P |
188 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
HD-1 |
8000 |
原裝正品支持實單 |
詢價 | ||
IOR |
24+ |
DIP-4P |
15 |
詢價 | |||
IRFD9113 |
4762 |
4762 |
詢價 | ||||
IR |
23+ |
DIP-4 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 |