IRFD9110中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRFD9110規(guī)格書詳情
HEXFET technology is the key to International Rectififers advanced line of power MOSFET transistors.
■ P-Channel Versatility
■ For Automatic Insertion
■ Compact Plastic Package
■ End Stackable
■ Fast Switching
■ Low Drive Current
■ Easily Paralleled
■ Excellent Temperature Stability
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFD9110
- 功能描述：
MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2020+ |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | |||
VISHAY |
17+ |
DIP4 |
60000 |
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
HD-1 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價 | ||
HARRIS |
2021+ |
DIP4 |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價 | ||
Vishay Siliconix |
2022+ |
4-DIP(0.300 |
38550 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
DIP |
7000 |
詢價 | |||
IR |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價 | ||||
IR |
24+ |
HEXDIP |
16800 |
絕對原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!? |
詢價 | ||
sil |
23+ |
NA |
5686 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價 | ||
IR |
9551+ |
DIP4 |
484 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 |
