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IRFR010

N-CHANNELPOWERMOSFET

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

IRFR010

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFR010

AVALANCHEANDdv/dtRATED

IRF

International Rectifier

IRFR010

PowerMOSFET

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KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR010

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFR010

PowerMOSFET

FEATURES ?Lowdrivecurrent ?Surface-mount ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Excellenttemperaturestability ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION ThepowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’s advancedlin

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFR010PBF

PowerMOSFET

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威世科技威世科技半導體

IRFR010PBF

PowerMOSFET

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KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR010PBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFR010TRLPBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFD010PBF

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 50V 1.7 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VishayIR
24+
4-DIP
1951
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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更多IRFD010PBF供應商 更新時間2025-1-21 16:30:00

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