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IRFBC20L

Power MOSFET

FEATURES ?Surface-mount(IRFBC20S,SiHFBC20S) ?Low-profilethrough-hole(IRFBC20L,SiHFBC20L) ?Availableintapeandreel(IRFBC20,SiiHFBC20S) ?DynamicdV/dtrating ?150°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Fullyavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsofco

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFBC20L

Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)

Description ThirdgenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableoftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It

IRF

International Rectifier

IRFBC20L

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFBC20LPBF

HEXFET Power MOSFET

Description ThirdgenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableoftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It

IRF

International Rectifier

IRFBC20LPBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFBC20LPBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRFBC20L

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IR
24+
TO-262
501152
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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TO-262
12500
全新原裝,現(xiàn)貨庫存長(zhǎng)期供應(yīng)
 詢價(jià)
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24+
TO-262
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全新原裝現(xiàn)貨
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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更多IRFBC20L供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-28 13:44:00

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