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IRF9Z20

P-CHANNEL 50 VOLT POWER MOSFETs

DESCRIPTION TheHEXFET?technologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheP-ChannelHEXFETdare

IRF

International Rectifier

IRF9Z20

P-CHANNEL POWER MOSFETs

FEATURES ?LowerRDS(ON) ?Improvedinductiveruggedness ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowerinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightmeperaturereliability

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

IRF9Z20

P-channel versatility

DESCRIPTION ThepowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthepowerMOSFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheP-channel

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF9Z20

Power MOSFET

FEATURES ?P-channelversatility ?Compactplasticpackage ?Fastswitching ?Lowdrivecurrent ?Easeofparalleling ?Excellenttemperaturestability ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION ThepowerMOSFETtechnologyi

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF9Z20

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-9.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.28Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF9Z20

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF9Z20_V01

Power MOSFET

FEATURES ?P-channelversatility ?Compactplasticpackage ?Fastswitching ?Lowdrivecurrent ?Easeofparalleling ?Excellenttemperaturestability ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION ThepowerMOSFETtechnologyi

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF9Z20PBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHF9Z20

PowerMOSFET

FEATURES ?P-channelversatility ?Compactplasticpackage ?Fastswitching ?Lowdrivecurrent ?Easeofparalleling ?Excellenttemperaturestability ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION ThepowerMOSFETtechnologyi

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SiHF9Z20

P-channelversatility

DESCRIPTION ThepowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthepowerMOSFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheP-channel

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRF9Z20

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
24+
TO220
8950
BOM配單專家,發(fā)貨快,價(jià)格低
 詢價(jià)
IR
24+
TO 220
160869
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IR
06+
原廠原裝
6216
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價(jià)
IR
23+
TO-220
35890
詢價(jià)
IR
23+
原廠原裝
6000
全新原裝
 詢價(jià)
三星
24+
TO-220
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IRF
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
IR
22+23+
TO220
36601
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
 詢價(jià)
Vishay
1822+
TO-220AB
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
 詢價(jià)
SEC
2022+
21
全新原裝 貨期兩周
 詢價(jià)
更多IRF9Z20供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-17 16:36:00

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