IRF9Z20中文資料三星數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRF9Z20 |
| 功能描述 | P-CHANNEL POWER MOSFETs |
| 文件大小 |
287.18 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Samsung semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Samsung【三星】 |
| 中文名稱 | 三星半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-27 17:10:00 |
| 人工找貨 | IRF9Z20價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRF9Z20規(guī)格書詳情
FEATURES
? Lower RDS(ON)
? Improved inductive ruggedness
? Fast switching times
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Lower input capacitance
? Extended safe operating area
? Improved high tmeperature reliability
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF9Z20
- 功能描述：
MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO 220 |
160869 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
SAMSUNG/三星 |
23+ |
TO220 |
6850 |
只做原廠原裝正品現(xiàn)貨!假一賠十! |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
原廠原裝 |
6000 |
全新原裝 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世通 |
23+ |
TO-220 |
6000 |
原裝正品，支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+23+ |
TO220 |
36601 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Vishay Siliconix |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/SILIC |
22+ |
NA |
5000 |
絕對(duì)全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
2023+ |
TO220 |
6893 |
十五年行業(yè)誠(chéng)信經(jīng)營(yíng),專注全新正品 |
詢價(jià) | ||
IR |
TO220 |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
TO220 |
8950 |
BOM配單專家,發(fā)貨快,價(jià)格低 |
詢價(jià) |
