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IRF7707PBF	文件：145.76 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description HEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanextr	IRF International Rectifier	IRF
IRF7707TRPBF	文件：242.14 Kbytes Page：8 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
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LMP7707MFX	文件：1.53932 Mbytes Page：24 Pages	Precision,CMOSInput,RRIO,WideSupplyRangeDecompensatedAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
LMP7707MFX/NOPB	文件：1.59684 Mbytes Page：41 Pages	Precision,CMOSInput,RRIO,WideSupplyRangeDecompensatedAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
NCV7707	文件：253.62 Kbytes Page：38 Pages	Door-ModuleDriver-IC	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
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NJU7707	文件：79.14 Kbytes Page：9 Pages	VOLTAGEDETECTOR	NJRCNew Japan Radio 新日本無線株式會社	NJRC
NJU7707F	文件：79.14 Kbytes Page：9 Pages	VOLTAGEDETECTOR	NJRCNew Japan Radio 新日本無線株式會社	NJRC
PT7707	文件：226.7 Kbytes Page：5 Pages	INTEGRATEDSWITCHINGREGULATOR	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1

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詳細參數(shù)

型號：
IRF7707GTRPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT PCh -20V -7A 14.3mOhm 31nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

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