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IRF1310NS	文件：156.84 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF1310NS	文件：1.06153 Mbytes Page：10 Pages	Fully Avalanche Rated Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1310NS	文件：189.3 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF1310NSPBF	文件：725.79 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF1310NSPBF	文件：726.76 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF1310NSPBF_15	文件：726.76 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF1310NSTRLPBF	文件：726.76 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1310S	文件：361.9 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.04ohm,Id=41A) VDSS=100V RDS(on)=0.04? ID=41A Description FourthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatH	IRF International Rectifier	IRF
IRFI1310G	文件：361.47 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.04ohm,Id=22A) VDSS=100V RDS(on)=0.04? ID=22A Description FourthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatH	IRF International Rectifier	IRF
IRFI1310N	文件：104.61 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.036ohm,Id=24A) Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRF International Rectifier	IRF
IRFI1310N	文件：267 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFI1310NPBF	文件：242.9 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI1310NPBF	文件：243.86 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFI1310NPBF	文件：1.91998 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFM1310ST	文件：24.06 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
ISC-1310FB	文件：199.9 Kbytes Page：4 Pages	Industrial1-portRS-232/422/485toFiberserialmediaconverter	ORING ORing Industrial Networking Corp	ORING
ISC-1310FB-MM	文件：199.9 Kbytes Page：4 Pages	Industrial1-portRS-232/422/485toFiberserialmediaconverter	ORING ORing Industrial Networking Corp	ORING
ISC-1310FB-SS	文件：199.9 Kbytes Page：4 Pages	Industrial1-portRS-232/422/485toFiberserialmediaconverter	ORING ORing Industrial Networking Corp	ORING
ISC-1310F-I	文件：1.01441 Mbytes Page：3 Pages	IndustrialRS-422/485repeater	ORING ORing Industrial Networking Corp	ORING
ISC-1310FR	文件：276.62 Kbytes Page：5 Pages	IndustrialSerialMediaConverter	ORING ORing Industrial Networking Corp	ORING

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF1310NS
制造商：
IRF
制造商全稱：
International Rectifier
功能描述：
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市匯萊威科技有限公司	IRF1310NS	IR	24+	TO-263	501253	免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價(jià)
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更多IRF1310NS供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-6 15:14:00

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