IRF1010ZL中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF1010ZL規(guī)格書詳情
AUTOMOTIVE MOSFET
Description
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating tempera ture, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF1010ZL
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-262-3 |
44524 |
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價 | ||
IR |
11+PBF |
TO-262 |
24 |
優(yōu)勢 |
詢價 | ||
IR |
21+ |
TO-262 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨詢更多詳細信息, |
詢價 | ||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
TO-262 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-262-3 |
11846 |
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
IR |
2016+ |
TO-262 |
6528 |
房間原裝進口現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
8000 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 |
