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IRF1010EZSPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IRF1010EZSPBF |
| 功能描述 | Advanced Process Technology |
| 文件大小 |
413.46 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-6-12 18:00:00 |
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IRF1010EZSPBF規(guī)格書詳情
Description
This HEXFET?Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
● Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF1010EZSPBF
- 功能描述：
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 58nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
25+ |
25000 |
原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開票! |
詢價 | |||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
19850 |
原裝正品,假一賠十 |
詢價 | |||
Infineon(英飛凌) |
24+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
12048 |
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號開票。 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
25+ |
D2PAK(TO263) |
54648 |
百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成 歡迎詢價 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
400 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
D2PAK |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢 |
詢價 | ||
VBsemi |
24+ |
TO263 |
9000 |
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
90000 |
一級代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價格合理 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 |
