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IPD082N10N3

N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPD082N10N3G

100V N-Channel MOSFET

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification ?VDS=100V ?ID(atVGS=10V)=80A ?RDS(ON)(atVGS=10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

IPD082N10N3G

N-Channel Super Trench Power MOSFET

Features ?VDS=100V,ID=78A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

IPD082N10N3G

OptiMOS?? Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD082N10N3G

N-channel, normal level

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IIPD082N10N3

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IPD082N10N3

  • 功能描述：

    MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
Infineon(英飛凌)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
9548
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號開票。
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
21+
TO-252
30000
只做正品原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INF
21+
TO252-3
5000
原裝現(xiàn)貨/假一賠十/支持第三方檢驗(yàn)
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
TO252-3
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
22+
NA
7000
原廠原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
7000
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
23+
20000
全新、原裝、現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINEON
22+
TO252-3
8000
終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
7000
公司只做原裝，可來電咨詢
 詢價(jià)
更多IPD082N10N3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-7 13:51:00

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