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IPD35N10S3L-26

isc N-Channel MOSFET Transistor

·FEATURES ·DrainCurrent–ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=24mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·UltraLowOn-resistance ·F

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPD35N10S3L-26

OptiMOS-T Power-Transistor

Features ?N-channel-Enhancementmode ?AutomotiveAECQ101qualified ?MSL1upto260°Cpeakreflow ?175°Coperatingtemperature ?Greenproduct(RoHScompliant) ?100Avalanchetested

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD35N10S3L-26

Material Content Data Sheet

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD35N10S3L-26_15

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IPB35N10S3L-26

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IPB35N10S3L-26

OptiMOS??TPower-Transistor

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IPD35N10S3L-26

  • 功能描述：

    MOSFET N-Channel enh MOSFET 100V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Infineon/英飛凌
20+
TO-252
12115
終端可免費(fèi)提供樣品,歡迎咨詢
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
21+
TO-252
5000
原裝優(yōu)勢(shì)庫(kù)存，
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
22+
TO252
42000
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
2021+
SOT-252
17668
原裝進(jìn)口假一罰十
 詢價(jià)
INFINEON
21+
TO-252
2350
詢價(jià)
INF
21+
TO252-3
5000
原裝現(xiàn)貨/假一賠十/支持第三方檢驗(yàn)
 詢價(jià)
INFINEON
21+
TO-252
10000
十年信譽(yù),只做原裝,有掛就有現(xiàn)貨!
 詢價(jià)
Infineon
21+
N/A
2500
確保原裝現(xiàn)貨,實(shí)單價(jià)格支持!
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
TO-252
400
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
2122+
TO-252
18990
原裝正品,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
更多IPD35N10S3L-26供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-5 13:00:00

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