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IPD30N03S2L-10

OptiMOS Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD30N03S2L-10

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SPD30N03S2L-10

OptiMOSPower-Transistor

Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?LowOn-ResistanceRDS(on) ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD30N03S2L-10

OptiMOSPower-TransistorFeatureN-ChannelEnhancementmode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD30N03S2L-10

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SPD30N03S2L-10G

OptiMOSPower-Transistor

Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?LowOn-ResistanceRDS(on) ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD30N03S2L-10G

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SPU30N03S2L-10

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SPU30N03S2L-10

OptiMOSPower-Transistor

Feature ?N-Channel ?LogicLevel ?Lowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Idealforfastswitchingapplications

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IPD30N03S2L-10

  • 功能描述：

    MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 30A 10mOhms

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
20+
TO-252
6350
終端可免費(fèi)提供樣品,歡迎咨詢
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
TO-252
12048
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道。可簽保供合同
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
TO-252
16316
正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊
 詢價(jià)
INFINEON
24+
TO-252
60000
原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
TO252-3
360000
專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量?jī)r(jià)格低
 詢價(jià)
INFINEON
24+
PG-TO252-3D-PAK(TO
8866
詢價(jià)
Infineon
18+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190
 詢價(jià)
INFINEON
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
INFINEON
19+
TO-252
74347
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
 詢價(jià)
INFINE0N
23+
TO-252
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
更多IPD30N03S2L-10供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-5 13:00:00

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