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SPD30N03S2L-10G

OptiMOS Power-Transistor

Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?LowOn-ResistanceRDS(on) ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD30N03S2L-10G

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

IPD30N03S2L-10

OptiMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD30N03S2L-10

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SPD30N03S2L-10

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SPD30N03S2L-10

OptiMOSPower-TransistorFeatureN-ChannelEnhancementmode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD30N03S2L-10

OptiMOSPower-Transistor

Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?LowOn-ResistanceRDS(on) ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPU30N03S2L-10

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SPU30N03S2L-10

OptiMOSPower-Transistor

Feature ?N-Channel ?LogicLevel ?Lowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Idealforfastswitchingapplications

InfineonInfineon Technologies AG

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INFINEON
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更多SPD30N03S2L-10G供應商 更新時間2025-5-28 8:21:00

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