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IIPD068N10N3

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPD068N10N3

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPD068N10N3G

100VN-ChannelMOSFET

Features ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification ?(VGS=10V) ?VDS(V)=100V ?ID=90A ?RDS(ON)

UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司(簡稱UMW?)

IPD068N10N3G

N-channel,normallevel

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD068N10N3G

OptiMOS3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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INFINEON/英飛凌
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INFINEON/英飛凌
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INFINEON/英飛凌
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TO-252
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INFINEON/英飛凌
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TO-252
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更多IPD068N10N3GIC供應(yīng)商 更新時間2024-11-6 11:00:00

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