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IIPD068N10N3	文件：336.75 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPD068N10N3	文件：336.75 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPD068N10N3G	文件：590.4 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelMOSFET Features ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification ?(VGS=10V) ?VDS(V)=100V ?ID=90A ?RDS(ON)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱UMW?)	UMW
IPD068N10N3G	文件：507.63 Kbytes Page：9 Pages	N-channel,normallevel	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPD068N10N3G	文件：298.23 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS3Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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