首頁>IMW65R048M1H>規(guī)格書詳情
IMW65R048M1H分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IMW65R048M1H |
| 參數屬性 | IMW65R048M1H 包裝為管件；類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個；產品描述：MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
| 功能描述 | 650 V CoolSiC? M1 SiC Trench Power Device |
| 絲印標識 | |
| 封裝外殼 | PG-TO247-3 |
| 文件大小 |
1.47512 Mbytes |
| 頁面數量 |
15 頁 |
| 生產廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-9 17:39:00 |
| 人工找貨 | IMW65R048M1H價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IMW65R048M1H規(guī)格書詳情
IMW65R048M1H屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個。由英飛凌科技股份公司制造生產的IMW65R048M1H晶體管 - FET，MOSFET - 單個分立式場效應晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉換、電機控制、固態(tài)照明及其他應用，它們具有高頻開關特性，同時又能承載大電流，使其在這些應用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。
產品屬性
更多- 產品編號：
IMW65R048M1HXKSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 包裝：
管件
- 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：
39A（Tc）
- 描述：
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
23+ |
TO-247-3 |
3652 |
原廠正品現貨供應SIC全系列 |
詢價 | ||
INFINEON |
2年內 |
T0-247 |
16500 |
英博爾原裝優(yōu)質現貨訂貨渠道商 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
PG-TO247-3 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
INFINEON |
22+ |
NA |
27090 |
原裝正品支持實單 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
PG-TO247-3 |
6820 |
只做原裝,質量保證 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
TO-247 |
7814 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現貨庫存。 |
詢價 | ||
Infineon |
24+ |
PG-TO247-3 |
9000 |
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價 | ||
TDK |
24+ |
SMD |
8 |
C32-端子 |
詢價 | ||
INFINEON |
24+ |
TO-247-3 |
8000 |
只做原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
INFINEON |
24+ |
con |
10000 |
查現貨到京北通宇商城 |
詢價 |
