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IMW120R014M1H中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IMW120R014M1H
廠商型號(hào)

IMW120R014M1H

功能描述

CoolSiC??1200 V SiC Trench MOSFET : silicon carbide MOSFET

文件大小

1.2934 Mbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-29 11:25:00

IMW120R014M1H規(guī)格書詳情

Features

? VDSS = 1200 V at Tvj = 25°C

? IDCC = 127 A at Tvj = 25°C

? RDS(on) = 14 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25°C

? Very low switching losses

? Short circuit withstand time 3 μs

? Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.2 V

? Robust against parasitic turn on, 0 V turn-off gate voltage can be applied

? Robust body diode for hard commutation

? .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance

Potential applications

? General purpose drives (GPD)

? EV-Charging

? Online UPS/Industrial UP

? String inverters

? Solar power optimizer

Product validation

? Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22

? Please also note the application note AN2019-05 for power and thermal cycling

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon
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Infineon/英飛凌
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Infineon/英飛凌
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PG-TO247-3
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原裝,品質(zhì)保證,請(qǐng)來電咨詢
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INFINEON/英飛凌
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IMW120R030M1HXKSA1
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
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C06-二極管
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