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IMW120R040M1H中文資料英飛凌數(shù)據手冊PDF規(guī)格書

IMW120R040M1H
廠商型號

IMW120R040M1H

功能描述

CoolSiC??1200 V SiC Trench MOSFET : silicon carbide MOSFET

文件大小

1.38658 Mbytes

頁面數(shù)量

17

生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網

原廠標識
數(shù)據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-29 11:00:00

IMW120R040M1H規(guī)格書詳情

Features

? VDSS = 1200 V at Tvj = 25°C

? IDCC = 55 A at Tvj = 25°C

? RDS(on) = 39 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25°C

? Very low switching losses

? Short circuit withstand time 3 μs

? Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.2 V

? Robust against parasitic turn on, 0 V turn-off gate voltage can be applied

? Robust body diode for hard commutation

? .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance

Potential applications

? Industrial drives

? Industrial power supplies

? Solar inverters

Product validation

? Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22

? Please also note the application note AN2019-05 for power and thermal cycling

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon
23+
PG-TO247-3
15500
英飛凌優(yōu)勢渠道全系列在售
詢價
Infineon(英飛凌)
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Infineon(英飛凌)
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原裝,品質保證,請來電咨詢
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低于市場價,實單必成,QQ1562321770
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原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
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PG-TO247-3
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