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IKW50N65F5

650V DuoPack IGBT and Diode High speed switching series fifth generation

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IKW50N65F5A

High speed switching series fifth generation

InfineonInfineon Technologies AG

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IKW50N65F5AXKSA1

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3

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IKW50N65F5FKSA1

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3

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AIGB50N65F5

HighspeedFASTIGBTinTRENCHSTOPTM5technology

FeaturesandBenefits: HighspeedF5technologyoffering: ?Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies ?650Vbreakdownvoltage ?LowgatechargeQG ?Maximumjunctiontemperature175°C ?Dynamicallystresstested ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101 ?Greenpackage(

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AIGW50N65F5

HighspeedfastIGBTinTRENCHSTOPTM5technology

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IGW50N65F5

650VIGBThighspeedswitchingseriesfifthgeneration

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IGW50N65F5A

Highspeedswitchingseriesfifthgeneration

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IKW50N65F5

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
INFINEON
22+
TO-247
10000
全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)特賣
 詢價(jià)
INFINEON
22+
N/A
10000
原裝,現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINEON
23+
N/A
10000
正規(guī)渠道,只有原裝!
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
TO-247
928
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價(jià)
INFINEON
24+
TO247
60000
原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINEO
22+
TO-247
6000
原裝正品!!!優(yōu)勢庫存!0755-83210901
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
N/A
12000
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
Infineon
24+
TO-247
7493
原裝現(xiàn)貨,有上庫存就有貨,假一賠十
 詢價(jià)
英飛凌
新批次
N/A
1500
詢價(jià)
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
 詢價(jià)
更多IKW50N65F5供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-2 16:28:00

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