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IL217AT	文件：66.65 Kbytes Page：3 Pages	PHOTOTRANSISTOR SMALL OUTLINE SURFACE MOUNT OPTOCOUPLER DESCRIPTION TheIL215AT/216AT/217ATisanopticallycoupledpairwithaGalliumArsenideinfraredLEDandasiliconNPNphototransistor.Signalinformation,includingaDClevel,canbetransmittedbythedevicewhilemaintainingahighdegreeofelectricaisolationbetweeninputandoutput.The	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
IL217AT	文件：122.5 Kbytes Page：8 Pages	High current transfer ratio	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
ILD217	文件：53.04 Kbytes Page：2 Pages	DUALPHOTOTRANSISTORSMALLOUTLINESURFACEMOUNTOPTOCOUPLER DESCRIPTION TheILD205/206/207/211/213/217areopticallycoupledpairswithagalliumarsenideinfraredLEDandasiliconNPNphototransistor.Signalinformation,includingaDClevel,canbetransmittedbythedevicewhilemaintainingahighdegreeofelectricalisolationbetweeninputandoutpu	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
ILD217T	文件：376.54 Kbytes Page：7 Pages	Optocoupler,PhototransistorOutput,DualChannel,SOIC-8package DESCRIPTION TheILD205T,ILD206T,ILD207T,ILD211T,andILD213TareopticallycoupledpairswithagalliumarsenideinfraredLEDandasiliconNPNphototransistor.Signalinformation,includingaDClevel,canbetransmittedbythedevicewhilemaintainingahighdegreeofelectricalisolationbe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
ILD217T	文件：90.84 Kbytes Page：4 Pages	Optocoupler,PhototransistorOutput,DualChannel	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
ILD217T	文件：87.94 Kbytes Page：4 Pages	Optocoupler,PhototransistorOutput,DualChannel,SOIC-8Package DESCRIPTION TheILD217Tareopticallycoupledpairswithagallium arsenideinfraredLEDandasiliconNPNphototransistor. Signalinformation,includingaDClevel,canbetransmitted bythedevicewhilemaintainingahighdegreeofelectrical isolationbetweeninputandoutput.TheILD217T	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
ILD217T	文件：88.25 Kbytes Page：4 Pages	Optocoupler,PhototransistorOutput,DualChannel,SOIC-8Package DESCRIPTION TheILD217Tareopticallycoupledpairswithagallium arsenideinfraredLEDandasiliconNPNphototransistor. Signalinformation,includingaDClevel,canbetransmitted bythedevicewhilemaintainingahighdegreeofelectrical isolationbetweeninputandoutput.TheILD217T	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
INA217	文件：219.31 Kbytes Page：11 Pages	Low-Noise,Low-DistortionINSTRUMENTATIONAMPLIFIERReplacementforSSM2017	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA217	文件：342.53 Kbytes Page：11 Pages	Low-Noise,Low-DistortionINSTRUMENTATIONAMPLIFIERReplacementforSSM2017	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA217	文件：966.1 Kbytes Page：25 Pages	Low-Noise,Low-DistortionInstrumentationAmplifierReplacement	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
INA217AIDWR	文件：342.53 Kbytes Page：11 Pages	Low-Noise,Low-DistortionINSTRUMENTATIONAMPLIFIERReplacementforSSM2017	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA217AIDWR	文件：219.31 Kbytes Page：11 Pages	Low-Noise,Low-DistortionINSTRUMENTATIONAMPLIFIERReplacementforSSM2017	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA217AIDWR	文件：966.1 Kbytes Page：25 Pages	Low-Noise,Low-DistortionInstrumentationAmplifierReplacement	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
INA217AIDWT	文件：219.31 Kbytes Page：11 Pages	Low-Noise,Low-DistortionINSTRUMENTATIONAMPLIFIERReplacementforSSM2017	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA217AIDWT	文件：342.53 Kbytes Page：11 Pages	Low-Noise,Low-DistortionINSTRUMENTATIONAMPLIFIERReplacementforSSM2017	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA217AIDWT	文件：966.1 Kbytes Page：25 Pages	Low-Noise,Low-DistortionInstrumentationAmplifierReplacement	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
INA217AIP	文件：219.31 Kbytes Page：11 Pages	Low-Noise,Low-DistortionINSTRUMENTATIONAMPLIFIERReplacementforSSM2017	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
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ISCND217P	文件：245.23 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ?DCCurrentGain-hFE=150(Min)@IC=0.8A ?Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=100V(Min) ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Designedforuseingeneralpurposeampliferandswitching ap	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IL217AT
功能描述：
晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR >100%
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
輸入類型：
DC
最大集電極/發(fā)射極電壓：
70 V
最大集電極/發(fā)射極飽和電壓：
0.4 V
絕緣電壓：
5300 Vrms
電流傳遞比：
100 % to 200 %
最大正向二極管電壓：
1.65 V
最大輸入二極管電流：
60 mA
最大集電極電流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作溫度：
+ 110 C
最小工作溫度：
- 55 C
封裝/箱體：
DIP-4
封裝：
Bulk

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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