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AIGB50N65F5

High speed FAST IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology

FeaturesandBenefits: HighspeedF5technologyoffering: ?Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies ?650Vbreakdownvoltage ?LowgatechargeQG ?Maximumjunctiontemperature175°C ?Dynamicallystresstested ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101 ?Greenpackage(

InfineonInfineon Technologies AG

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AIGB50N65F5ATMA1

包裝:管件 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:DISCRETE SWITCHES

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AIGW50N65F5

HighspeedfastIGBTinTRENCHSTOPTM5technology

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IGW50N65F5

650VIGBThighspeedswitchingseriesfifthgeneration

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IGW50N65F5A

Highspeedswitchingseriesfifthgeneration

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650VDuoPackIGBTandDiodeHighspeedswitchingseriesfifthgeneration

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原廠授權(quán)一級代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
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更多AIGB50N65F5供應(yīng)商 更新時間2025-1-1 23:00:00