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IGA03N120H2

Marking：G03H1202；Package：PG-TO-220-3-31；HighSpeed 2-Technology

?Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa

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IGA03N120H2XKSA1

Package：TO-220-3 整包；包裝：管件 類別：分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 3A 29W TO220-3

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IGB03N120H2

HighSpeed2-Technology

HighSpeed2-Technology ?Designedfor: -SMPS -LampBallast -ZVS-Converter -optimisedforsoft-switching/resonanttopologies ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior

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IGP03N120H2

HighSpeed2-Technology

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IGP03N120H2

HighSpeed2-Technology

HighSpeed2-Technology ?Designedfor: -SMPS -LampBallast -ZVS-Converter -optimisedforsoft-switching/resonanttopologies ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior

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IGW03N120H2

HighSpeed2-Technology

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HighSpeed2-Technology

HighSpeed2-Technology ?Designedfor: -SMPS -LampBallast -ZVS-Converter -optimisedforsoft-switching/resonanttopologies ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior

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IKA03N120H2

HighSpeed2-Technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode

HighSpeed2-Technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode ?Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection ?2ndgenerationHighSpeed-Technologyfor1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallels

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IKB03N120H2

IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.8V@IC=3A ·TemperatureStableBehavior ·ParallelSwitchingCapability APPLICATIONS ·Designedforfrequencyinvertersforwashingmachines, pumps,fansandvacuumcleaners

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IKB03N120H2

HighSpeed2-Technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode

?Designedfor: -SMPS -LampBallast -ZVS-Converter ?2ndgenerationHighSpeed-Technologyfor1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution

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詳細參數

  • 型號：

    IGA03N120H2

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 HIGH SPEED TECH 1200V 3A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務
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提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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TO-220
31518
原裝正品 可含稅交易
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80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
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更多IGA03N120H2供應商 更新時間2025-1-21 16:59:00

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