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IKB03N120H2	文件：431.57 Kbytes Page：15 Pages	HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode ?Designedfor: -SMPS -LampBallast -ZVS-Converter ?2ndgenerationHighSpeed-Technologyfor1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKB03N120H2	文件：298.72 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.8V@IC=3A ·TemperatureStableBehavior ·ParallelSwitchingCapability APPLICATIONS ·Designedforfrequencyinvertersforwashingmachines, pumps,fansandvacuumcleaners	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IGA03N120H2	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed2-Technology ?Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGB03N120H2	文件：397.57 Kbytes Page：13 Pages	HighSpeed2-Technology HighSpeed2-Technology ?Designedfor: -SMPS -LampBallast -ZVS-Converter -optimisedforsoft-switching/resonanttopologies ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGP03N120H2	文件：397.57 Kbytes Page：13 Pages	HighSpeed2-Technology HighSpeed2-Technology ?Designedfor: -SMPS -LampBallast -ZVS-Converter -optimisedforsoft-switching/resonanttopologies ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IGW03N120H2	文件：397.57 Kbytes Page：13 Pages	HighSpeed2-Technology HighSpeed2-Technology ?Designedfor: -SMPS -LampBallast -ZVS-Converter -optimisedforsoft-switching/resonanttopologies ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKA03N120H2	文件：335.5 Kbytes Page：14 Pages	HighSpeed2-Technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode HighSpeed2-Technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode ?Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection ?2ndgenerationHighSpeed-Technologyfor1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallels	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKP03N120H2	文件：431.57 Kbytes Page：15 Pages	HighSpeed2-Technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode ?Designedfor: -SMPS -LampBallast -ZVS-Converter ?2ndgenerationHighSpeed-Technologyfor1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IKW03N120H2	文件：431.57 Kbytes Page：15 Pages	HighSpeed2-Technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode ?Designedfor: -SMPS -LampBallast -ZVS-Converter ?2ndgenerationHighSpeed-Technologyfor1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IKB03N120H2
功能描述：
IGBT 晶體管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
650 V
集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
C的連續(xù)集電極電流：
150 A
柵極—射極漏泄電流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封裝/箱體：
TO-247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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