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IGW50N60H3

600V high speed switching series third generation

HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnology Features: TRENCHSTOPTMtechnologyoffering ?verylowVCEsat ?lowEMI ?Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode ?maximumjunctiontemperature175°C ?qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHS

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英飛凌英飛凌科技股份公司

IGW50N60H3

600V high speed switching series third generation

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IGW50N60H3_14

600V high speed switching series third generation

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IGW50N60H3FKSA1

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT TRENCH/FS 600V 100A TO247-3

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IKW50N60H3

Highspeedswitchingseriesthirdgeneration

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    IGW50N60H3

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 600V 50A 333W

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多IGW50N60H3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-15 22:59:00