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HV430WG	文件：119.83 Kbytes Page：8 Pages	High Voltage Ring Generator GeneralDescription TheSupertexHV430isahighvoltagePWMringgeneratorintegratedcircuit.Thehighvoltageoutputs,VPGATEandVNGATE,areusedtodrivethegatesofexternalhighvoltageP-channelandN-channelMOSFETsinapush-pullconfiguration.Overcurrentprotectionisimplementedfo	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
HV430WG	文件：56.63 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage 1 REN Ring Generator	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
HV430WG-G	文件：546.31 Kbytes Page：9 Pages	High-Voltage Ring Generator	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
HV430WG-G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）功能：鈴聲發(fā)生器控制器類別：集成電路（IC）電信描述：IC TELECOM INTERFACE 20SO	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
HW430	文件：892.97 Kbytes Page：1 Pages	1/2WATTMETAL	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
I430-FLEXI-TF	文件：332.07 Kbytes Page：2 Pages	6000AFlexibleACCurrentProbe	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
IQXO-430	文件：217.58 Kbytes Page：2 Pages	CrystalClockOscillatorSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IRF430	文件：211.24 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDs(on)athighvoltage ?Improvedinductiveruggedness ?Excellenthighvoltagestability ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowinputcapactiance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliablitiy ?TO-3package(Highvol	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRF430	文件：141.08 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,4.5A,450V/500V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. ?VGSRatedat±20V ?SiliconGateforFastSwitchi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF430	文件：21.34 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF430	文件：146.28 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL(Vdss=500V,Rds(on)=1.5ohm,Id=4.5A) TheHEXFET?technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddi	IRF International Rectifier	IRF
IRF430	文件：56.66 Kbytes Page：7 Pages	4.5A,500V,1.500Ohm,N-ChannelPowerMOSFET 4.5A,500V,1.500Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsa	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF430	文件：153.46 Kbytes Page：3 Pages	4.5A,500V,1.500Ohm,N-ChannelPowerMOSFET Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. ?VGSRatedat±20V ?SiliconGateforFastSwitchi	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRF430	文件：122.44 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,4.5A,450V/500V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. ?VGSRatedat±20V ?SiliconGateforFastSwitchi	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRF430	文件：122.44 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,4.5A,450V/500V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRF430	文件：48.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFE430	文件：129.12 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETTRANSISTOR 500Volt,1.50?,HEXFET Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.TheLCCprovidesdesignerstheextraflexibilitytheyneedtoincreasecircuitboarddensity.InternationalRectifierhasengineeredtheLCCpa	IRF International Rectifier	IRF
IRFE430	文件：169.26 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFF430	文件：133.05 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE(TO-205AF) TheHEXFET?technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. TheHEXFETtransistorsalsofe	IRF International Rectifier	IRF
IRFF430	文件：325.25 Kbytes Page：7 Pages	2.75A,500V,1.500Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
HV430WG
功能描述：
電話振鈴器 Hv Ring Gen
RoHS：
否
制造商：
NJR
產(chǎn)品：
FSK Demodulator/Tone Decoder
封裝/箱體：
DIP-14
頻率：
0.01 Hz to 300 KHz
最大工作溫度：
+ 85 C
最小工作溫度：
- 40 C
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多HV430WG供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-13 16:18:00

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