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IRF1407LPbF	文件：578.95 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IRF1407PBF	文件：167.92 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description ThisStripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetiti	IRF International Rectifier	IRF
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