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IRF1407S

Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0.0078?? Id = 100A??

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRF1407S

Isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRF1407SPBF

HEXFET? Power MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(on) = 0.0078廓 , ID = 100A )

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRF1407SPBF

HEXFET? Power MOSFET

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRF1407STRLPbF

HEXFET? Power MOSFET

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRF1407SPBF

Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

IRF1407SPBF_15

Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

KI1407DL

P-Channel1.8-V(G-S)MOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

KS1407N

7mmADJUSTABLEIFTCOILS(II)(SHIELDED)

FRONTIER

Frontier Electronics

KS1407N

7mmAdjustableshieldedIFTCoil(II)

FRONTIER

Frontier Electronics

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRF1407S

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
24+
TO-263
2700
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
IR
2015+
D2-Pak
12500
全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應
 詢價
IR
2016+
TO-263
6528
房間原裝進口現(xiàn)貨假一賠十
 詢價
IR
24+
TO-263
4650
詢價
IR
24+
D2-Pak
8866
詢價
IR
23+
TO-263
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價
IR
23+
D2-Pak
7600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
IRF
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
IR
23+
TO-263
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
IR
22+23+
TO-263
27812
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
 詢價
更多IRF1407S供應商 更新時間2025-2-2 16:36:00

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