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HM20N120AB	文件：804.31 Kbytes Page：8 Pages	KEDA PT IGBTs offer lower losses and higher energy efficiency for application	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM20N120T	文件：968.93 Kbytes Page：9 Pages	H&MNPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM20N120TB	文件：813.96 Kbytes Page：8 Pages	KEDAPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergyefficiencyforapplication	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
IHW20N120R	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed2-Technology ?Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IHW20N120R	文件：358.29 Kbytes Page：12 Pages	ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode Features: ?PowerfulmonolithicBodyDiodewithverylowforwardvoltage ?Bodydiodeclampsnegativevoltages ?TrenchandFieldstoptechnologyfor1200Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior ?NPTtechnologyoffers	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IXDA20N120AS	文件：54.05 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageIGBT HighVoltageIGBT ShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA Features ●NPTIGBTtechnology ●highswitchingspeed ●lowtailcurrent ●nolatchup ●shortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●MOSinput,voltagecontrolled ●Internationalstandardp	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDH20N120	文件：74.06 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageIGBTwithoptionalDiode HighVoltageIGBTwithoptionalDiode ShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA Features ●NPTIGBTtechnology ●lowsaturationvoltage ●lowswitchinglosses ●squareRBSOA,nolatchup ●highshortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientfor easyparalleling ●MOSinpu	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXER20N120	文件：364.02 Kbytes Page：4 Pages	NPT3IGBTinISOPLUS247	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK20N120	文件：328.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFK20N120	文件：574.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK20N120P	文件：122.12 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK20N120P	文件：328.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.57Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFN20N120	文件：572.36 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features ?Internationalstandardpackage ?miniBLOC,withAluminiumnitrideisolation ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN20N120P	文件：113.97 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET Polar?PowerMOSFETHiPerFET? N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ?Internationalstandardpackage ?EncapsulatingepoxymeetsUL94V-0,flammabilityclassification ?miniBLOCwithAluminiumnitrideisolation ?Fastrecoverydiode ?UnclampedInductive	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFR20N120	文件：330.17 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=630mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFR20N120P	文件：117.18 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFX20N120	文件：574.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFX20N120	文件：367.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFX20N120P	文件：122.12 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGA20N120	文件：78.17 Kbytes Page：2 Pages	IGBT Features ?Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DCchoppers ?Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ?Switch-modeand	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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更多HM20N120AB供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-25 14:59:00

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