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HM20N60F

the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司

HMG20N60A

20A,600Vinsulatedgatebipolartransistor

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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IKB20N60T

IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode

LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime–5μs ?Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerS

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IKB20N60T

IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode

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600Vlowlossswitchingseriesthirdgeneration

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更多HM20N60F供應商 更新時間2025-3-13 14:01:00

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