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HIP6603BECBZ

Marking：6603BECBZ；Package：8LdEPSOIC；Synchronous Rectified BuckMOSFET Drivers

SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers TheHIP6601B,HIP6603BandHIP6604Barehighfrequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedto drivetwopowerN-ChannelMOSFETsinasynchronous rectifiedbuckconvertertopology.Thesedriverscombined withaHIP63xxortheISL65xxseriesofMult

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HIP6603BECBZ

Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers

TheHIP6601B,HIP6603BandHIP6604Barehigh-frequency, dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopower N-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconverter topology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxortheISL65xx seriesofMulti-PhaseBuckPWMcontrollersandMOSFETs

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HIP6603BECBZ

Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers

SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers TheHIP6601B,HIP6603BandHIP6604Barehigh-frequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopowerN-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxortheISL65xxseriesofMulti

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HIP6603BECBZ

Drives Two N-Channel MOSFETs

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HIP6603BECBZ

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動(dòng)器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Renesas Electronics America Inc

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HIP6603BECBZ-T

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動(dòng)器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Renesas Electronics America Inc

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HIP6603CB

Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers

Features ?DrivesTwoN-ChannelMOSFETs ?AdaptiveShoot-ThroughProtection ?InternalBootstrapDevice ?SupportsHighSwitchingFrequency -FastOutputRiseTime -PropagationDelay30ns ?Small8LeadSOICPackage ?DualGate-DriveVoltagesforOptimalEfficiency ?Three-StateInputfo

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瑞薩瑞薩科技有限公司

HIP6603CB

Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers

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HIP6603CB

Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers

Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers TheHIP6601andHIP6603arehighfrequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopower N-ChannelMOSFETsinasynchronous-rectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP630xMulti-PhaseBuckPWMcontrollera

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HIP6603ECB

SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers

TheHIP6601A,HIP6603AandHIP6604arehighfrequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopowerN-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxoranISL65xxMulti-PhaseBuckPWMcontrollerformacompletecore-voltage

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HIP6603BECBZ

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    半橋

  • 通道類型：

    同步

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10.8V ~ 13.2V

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    20ns，20ns

  • 工作溫度：

    0°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC-EP

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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更多HIP6603BECBZ供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-17 15:32:00

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