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HIP6603BECBZ_集成電路（IC） 柵極驅(qū)動(dòng)器-瑞薩

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原廠料號(hào)：HIP6603BECBZ品牌：Renesas Electronics America Inc

資料說(shuō)明：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

HIP6603BECBZ是集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器。制造商RENESAS/瑞薩生產(chǎn)封裝8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤的HIP6603BECBZ柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來(lái)自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過(guò)的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

  • 芯片型號(hào)：

    hip6603becbz

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    RENESAS【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 中文名稱：

    瑞薩科技有限公司

  • 資料說(shuō)明：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HIP6603BECBZ

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    半橋

  • 通道類型：

    同步

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10.8V ~ 13.2V

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    20ns，20ns

  • 工作溫度：

    0°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC-EP

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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2022
ICDRIVERMOSFSYNCBUCK8EPS
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